江南我国科学家找到实现高阶拓扑绝缘体理论依据—新闻—科学网

时间:2024-01-08 12:56:48 已阅读:77次

科技日报合肥5月6日电 (记者吴长锋)记者从中国科年夜获悉,该校合肥微标准物资科学国度研究中央乔振华传授课题组与其互助者,于理论预言低维系统高阶拓扑绝缘体方面取患上新冲破。相干结果日前揭晓于国际权势巨子物理学期刊《物理评论快报》上。

拓扑量子系统是现今凝结态物理一个备受存眷的研究范畴。近期,联合对于称性以及质料数据库的高通量计较报导了几十种二维拓扑绝缘体质料。此中,绝年夜大都已经发明的质料系统可以被这两种理论模子有用地描写。跟着拓扑绝缘体这一律念的����APP连续推广,使患上广泛存于在二维以及三维层状质料系统中的新型拓扑相被不停发明。

最近几年来的理论成长将拓扑相推广到了高阶:N维高阶绝缘体的N-1维界限依然绝缘,可是于N-2维的棱边或者棱角上具备受拓扑掩护的电子态。对于在一个二维高阶拓扑绝缘体,电子于界限上没法传输,可是于两个边订交的棱角处,可以呈现零能电子态。然而,这类二维高阶拓扑绝缘体于凝结态系统中还没有被实现。

科研职员提出一种新的方案来实现从一阶到二阶拓扑绝缘体的操控,即经由过程于二维一阶拓扑绝缘体上引诱出头具名内磁矩来实现二维二阶拓扑绝缘体。一阶拓扑绝缘体受时间反演对于称性掩护;然而,面内磁矩的呈现粉碎了该对于称性,使患上拓扑绝缘体变患上拓扑平淡。同时,导电的界限态也因为对于称性被粉碎而变患上绝缘再也不导电,而且于两个绝缘的界限接壤处,呈现了零能电子态。

这项研究结果为设计实现高阶拓扑绝缘体提供了坚实的理论依据。

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